返回第661章 光刻机的发展  佚名首页

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变现的生產能力。

就比如生產晶片的光刻机技术,就有包括华科、1445电子所、机电部45所等多家机构院所在研究。

这一时期主流上仍然使用的是接近式光刻机,这时期的掩模版不与硅片直接接触,而是在光刻机中加入测量工具,让两者间的距离儘量贴近。

但是光具有衍射性,会造成投影边缘模糊,进而造成精度下降、有较大的投影误差。

直到1974年美国pe推出投影式光刻机,把掩模版上的图形经过三次折射之后投射在硅片上,这样就能有效消除误差达到理想的解析度,良品率直接从10%提高到70%以上。从而让晶片的价格大幅度下降。

后来在1978年gca公司又推出dsw4800步进投影式光刻机,把掩模版上的图形缩小到原有的四分之一到五分之一,然后再投射到硅片上,一举提高了曝光强度和解析度上限,让光刻机精度进入微米级。

而红星实验室在聂鹏飞的引导下,一开始的发展方向就是投影式,並且在机电部45所及后来的西山试验基地的配合下,实验性的造出了第一台投影式光刻机。

虽然各方面可能还不如后来pe推出的光刻机,而且良品率更是低到惨不忍睹的3%,但总归是走在正確的道路上。

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